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Ⅲ-Ⅴ族 ICP刻蚀
    发布时间: 2026-08-21 17:22    
Ⅲ-Ⅴ族 ICP刻蚀

刻蚀GaN、GaAs、InP等多种化合物及多元化合物；

二氧化硅掩膜刻蚀选择比：4:1~30:1；

侧壁与底面夹角：45°-92°


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