服务内容：

• 热点定位与发光成像： 精准定位因短路、漏电、栅氧击穿等缺陷导致的热点 或发光点，直接关联电性失效位置。

• OBIRCH / TLS 分析：利用激光束诱导电阻变化或热激光刺激技术，灵敏地检测金属连线异常、通孔缺陷和晶体管线粒问题。

• IC内部缺陷可视化： 在不打开芯片封装、不破坏芯片结构的前提下，实现对其内部pn结、晶体管等有源器件工作状态的可视化检测。

• 失效点快速筛查： 相较于传统方法，能极大缩短失效分析周期，快速从整个芯片或特定区域中筛选出微米级的缺陷位置。

技术优势：

• 真正的无损分析： 无需去层、无需物理接触，保持样品的完整性，为后续进一步分析提供可能。

• 高灵敏度与分辨率： 具备微米级的空间分辨率，能够检测到极其微弱的热点或发光信号，发现早期或微小的缺陷。

• 快速高效定位： 集成化的工作流程和强大的分析软件，能快速完成大面积扫描和缺陷定位，显著提升失效分析效率。

• 与电性测试联动： 该技术可与Tektronix 4200A半导体参数分析仪服务联动，实现从 “电学性能异常” 到 “物理位置定位” 的无缝衔接。

典型应用客户：

• 集成电路设计与制造公司： 用于芯片研发阶段的故障调试、量产后的良率提升与失效品根因分析。

• 半导体封测厂： 用于封装工艺引起的可靠性问题分析，如键合线问题、封装应力导致的损伤。

• 科研机构与高校： 用于先进半导体器件与材料的可靠性机理研究。

• 汽车电子、航空航天等高可靠性领域的芯片分析与验证。