近日，由我司提出的 《一种基于激光诱导和X射线成像技术的缺陷定位方法》 正式获得国家知识产权局发明专利受理（申请号：2024117912747）。这项创新技术将为半导体失效分析提供一双更为敏锐的“眼睛”。

本专利技术创造性地将激光诱导与X射线成像两种技术融为一体，形成了一套独特的内部分析与定位解决方案。

激光诱导技术利用特定波长的激光束精准地激发芯片内部的特定区域，使其产生可被探测的物理响应，捕捉电荷变化逸出的光电子，定位器件表面缺陷位置。

X射线成像技术同步利用高分辨率X射线透视芯片内部结构，清晰捕捉由激光诱导技术定位的缺陷部位的内部结构。

本司通过两者的协同工作，快速定位器件缺陷，在高灵敏度与高效率下对损坏器件进行无损检测。