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《测定 X 射线光电子能谱表面分析系统溅射薄膜速率的方法》专利
来源: | 作者:JSHW | 发布时间: 2024-12-27 | 334 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ | 分享到:

近日,我司提出《测定 X 射线光电子能谱表面分析系统溅射薄膜速率的方法》, 正式获得国家知识产权局发明专利受理(申请号:2024119484221)。

本发明涉及一种测定X射线光电子能谱(XPS)表面分析系统中溅射薄膜速率的方法,该方法通过结合椭圆偏振光谱仪、聚焦离子束系统(FIB)和XPS三种分析手段,实现对薄膜溅射速率的精确测定。

提出了首先利用椭圆偏振光谱仪无损测量薄膜厚度并建立拟合模型;随后通过聚焦离子束系统进行横截面切割与观测,验证膜层厚度;再采用XPS进行深度溅射实验,记录从膜层开始溅射至完全穿透的时间;最后基于厚度与时间数据建立溅射速率的模型。

本发明具有测量精度高、深度分辨、灵敏度高等优点,特别适用于纳米级薄膜、多层结构及多种功能薄膜材料的深度剖析,能够有效评估薄膜的厚度、分层性和界面特性。