XPS深度剖析氮化硅薄膜

采集硅基底的氮化硅薄膜样品表面XPS谱图 -> 用Ar⁺离子溅射掉一定厚度的样品 -> 再次采集XPS谱图 -> 重复此过程，直至到达硅基底。

随着刻蚀深度的增加Si2p的峰位发生明显化学位移，根据仪器数据库可知，测得的Si2p的状态由氮化硅向单质硅转化。