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瀚微科技
Jiangsu Hanwei Science and Technology Co., Ltd
  • 反应离子刻蚀(RIE)
  • 反应离子刻蚀(RIE)

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商品描述

可实现SiO2SiN低速率、低损伤刻蚀,与光刻胶选择比>3:1

SiO2刻蚀速率30 nm/min

SiNx刻蚀速率70-85 nm/min

SiNxSiO2刻蚀速率选择比>3:1

可进行无油刻蚀