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SiO2、SiN刻蚀 （AOE）
    发布时间: 2026-08-21 17:22    
SiO2、SiN刻蚀 （AOE）

刻蚀速率：＞250nm/min；

选择比：多晶硅＞15:1；

均匀性和重复性：＜±5%；


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