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反应离子刻蚀（RIE）
    发布时间: 2026-08-21 17:22    
反应离子刻蚀（RIE）

可实现SiO2、SiN低速率、低损伤刻蚀，与光刻胶选择比＞3:1；

SiO2刻蚀速率30 nm/min；

SiNx刻蚀速率70-85 nm/min；

SiNx、SiO2刻蚀速率选择比＞3:1；

可进行无油刻蚀


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