您好，欢迎您访问瀚微科技公司官网......
瀚微科技
Jiangsu Hanwei Science and Technology Co., Ltd
深硅刻蚀(DSi)
    发布时间: 2026-08-21 17:22    
深硅刻蚀(DSi)

深Si刻蚀：常规硅刻蚀速率约为10μm/min；硅/光刻胶刻蚀选择比：>50:1，侧壁与底面夹角：90°±1°。

尺寸：4英寸及以下


底板标题