1. 浅硅刻蚀：最大刻蚀深度<10um；刻蚀速率为300nm~1.2um/min；硅/光刻胶选择比：<10:1, 侧壁与底面夹角：90°±1°。

2. 深Si刻蚀：最大刻蚀深度大于600微米；常规硅刻蚀速率为3~10μm/min，最高可达20um/min；硅/二氧化硅刻蚀选择比：>50:1，硅/光刻胶刻蚀选择比：>20:1，侧壁与底面夹角：90°±1°。

3. 低温刻蚀：可实现液氮冷却的低温刻蚀，温度~-110°C。